瑞霏光电总经理介绍碳化硅工艺管控方案

2024年3月，慕尼黑上海光博会期间，瑞霏光电总经理万新军博士接受了行业媒体《化合物半导体》&《半导体芯科技》记者的现场采访，介绍了瑞霏光电最新半导体质量检测解决方案。以下为采访内容：

《化合物半导体》&《半导体芯科技》杂志记者Ron：
大家好，我是《化合物半导体》《半导体芯科技》杂志记者Ron
今天我在2024慕尼黑上海光博会的现场，我非常荣幸地邀请到瑞霏光电科技有限公司总经理万新军博士。

Ron：瑞霏光电在本次展会带来了哪些新技术和新产品？

万：我们知道碳化硅、切磨抛市场正在高速发展，面向切磨抛的工艺管控，我们提供了全流程品控方案：从籽晶的筛选、到切磨抛过程当中的晶体缺陷、划痕的筛选检测，包括晶圆的表面粗糙度、几何参数等，我们目前可以提供全套的量测。

这涉及到几个设备：
第一，内应力测量设备（SV200）；
第二，三维测量显微镜（Micro1000）。 它可以测量晶圆的表面粗糙度，深度评估划痕；
第三，晶圆的自动扫描显微镜（DV200），它可以自动筛查表面的划痕；

最后，我们面向衬底的几何参数的量测设备（Wafer Shaper），它可以量测衬底的翘曲、BOW、WARP，还有厚度参数。

Ron：瑞霏光电产品的优势有哪些？
万：第一，针对在碳化硅衬底的复杂切磨抛过程，我们提供了整套的品控方案。
第二，我们的内应力测量设备具有高解析度，能够精准测量碳化硅衬底的内应力分布，可用于长晶质量评估，还可以筛查晶体内部缺陷。
第三，我们面相碳化硅切磨抛粗糙度管控，推出了三维测量显微镜，它的测量精度能达到0.1纳米，测量速度也比较快。
总的来说，希望我们提出的这个整套切磨抛的品控管理方案，能够助力客户做出更好的衬底，谢谢大家！